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增加薄膜电容的抗干扰能力选择的方法

浏览数量:0     作者:本站编辑     发布时间: 2019-08-22      来源:本站

为更好的解决薄膜电容频率高,总线周期特别快的情况,为增加系统的抗电磁干扰能力采取如下措施:

 

1. 减小信号传输中的畸变:

微控制器主要采用高速CMOS技术制造。信号输入端静态输入电流在1mA左右,输入电容10PF左右,输入阻抗相当高,高速CMOS电路的输出端都有相当的带载能力,即相当大的输出值,将一个门的输出端通过一段很长线引到输入阻抗相当高的输入端,反射问题就很严重,它会引起信号畸变,增加系统噪声。当TpdTr时,就成了一个传输线问题,必须考虑信号反射,阻抗匹配等问题。可以粗略地认为,信号在印制板引线的传输速度,约为光速的1/31/2之间。微控制器构成的系统中常用逻辑电话元件的Tr(标准延迟时间)为318ns之间。

 

当信号的上升时间快于信号延迟时间,就要按照快电子学处理。薄膜电容厂家认为此时要考虑传输线的阻抗匹配,对于一块印刷线路板上的集成块之间的信号传输,要避免出现TdTrd的情况,印刷线路板越大系统的速度就越不能太快。

 

2. 选用频率低的微控制器:

选用外时钟频率低的微控制器可以有效降低噪声和提高系统的抗干扰能力。同样频率的方波和正弦波,方波中的高频成份比正弦波多得多。虽然方波的高频成份的波的幅度,比基波小,但频率越高越容易发射出成为噪声源,微控制器产生的最有影响的高频噪声大约是时钟频率的3倍。


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