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晶振负载电容外匹配电容计算与晶振振荡电路设计经验总结(I)

浏览数量:3     作者:本站编辑     发布时间: 2018-07-11      来源:本站

对应MCU、ROMan">WiFi或USB HUB一般需外部提供时钟信号,需要外挂一颗晶振,常有客户问到,如何结合晶振的负载电容计算外匹配电容容值以及在晶振振荡电路设计时需注意哪些事项,所以小编对此做一个归纳总结,如有不正确之处,欢迎指正。

1)晶振负载电容定义

晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容,是晶振要正常震荡所需要的电容。如果从石英晶体插脚两端向振荡电路方向看进去的全部有效电容为该振荡电路加给石英晶体的负载电容。石英晶体的负载电容的定义如下式: 

其中:

CS为晶体两个管脚之间的寄生电容(又名晶振静态电容或Shunt Capacitance),在晶体的规格书上可以找到具体值,一般0.2pF~8pF不等。如图二是某32.768KHz的电气参数,其寄生电容典型值是0.85pF(在表格中采用的是Co)。

CG指的是晶体振荡电路输入管脚到GND的总电容,其容值为以下三个部分的和。

● 需加外晶振主芯片管脚芯到GND的寄生电容 Ci

● 晶体震荡电路PCB走线到到GND的寄生电容CPCB

● 电路上外增加的并联到GND的外匹配电容 CL1

CD指的是晶体振荡电路输入管脚到GND的总电容。容值为以下三个部分的和。

● 需加外晶振主芯片管脚芯到GND的寄生电容, Co

● 晶体震荡电路PCB走线到到gnd的寄生电容,CPCB

● 电路上外增加的并联到GND的外匹配电容, CL2

1中标示出了CG,CD,CS的的组成部分。

 

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