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瓷片电容怎么测好坏

浏览数量:0     作者:本站编辑     发布时间: 2018-07-11      来源:本站

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分:1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器。EIA RS-198。

高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC100V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压 。

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。

瓷片电容识别

瓷片电容的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)

容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法:1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。

如:102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用“9”表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如:一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%

瓷片电容的好坏检测

在使用各种电子元器件过程中,一旦出现损坏,就会影响到整体的运行和性能。而瓷片电容作为诸多电子产品设备中不可或缺的关键,其好坏决定着设备的运行和寿命。那么究竟该怎样检测瓷片电容的好坏呢?接下来专家就来分享一下简单的检测方法。

检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。

检测10PF~0 01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。

对于0 01μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

这样检测瓷片电容的好坏大家是否了解了呢?这样简单的检测方法就可以及时检查出电容是否出现故障或者是损坏,及时进行维修和更换,才能确保产品的生产或者是设备的运行。

量瓷片电容的好坏用万用表测方法

数字万用表有带电容测试档位,可以直接测瓷片电容的容量。不带这个档位就不能测容量,只能用电阻档粗略判断通断。


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