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  • 高手总结的一些硬件设计经验(III)
    2019-06-10
    15:tvs管的响应速度一般很快。 16:对三极管的各项参数以及运放的各项参数需要经常复习,了解,因为十分重要。17:三极管的几个工作状态 需要彻底明白才行。 18:作实验的检查方法总结:首先应该看电路有几部分组成,其中每部分均可以分三部分来看,电源,输入,输出, 一一检查过来,必然不会错。另外就是看测量仪器是否设置正确。 19:波形叠加只要掌握 Uac=Uab=Ubc的道理就可以了。 20 :扼流圈的理解:电感是阻交流,通直流信号的,这点基本和电容相反的。低频扼流圈是抑制交流通直流的,高频俄流圈是抑制高频通低频和直流的。 21:放大电路有直流耦合和交流耦合。 22:变压器砸数的基本公式 N=
  • 高手总结的一些硬件设计经验(II)
    2019-06-10
    6:直流反馈是为了稳定静态工作点,交流反馈是为了改善放大器的性能。 7:电容和电阻的串并联关系相反。电感应该和电阻相同,不过还有互感的概念,所以还是有所区别的吧?需要求证。 8:示波器的很多数字显示只有在屏幕中显示多个周期才显示的,太多也不显示。 9:共基放大器是同相放大器,输出电阻大,电压增益为1,号称续流器。 共集放大器是同相放大器,输入电阻大,电流增益为1,号称电压跟随器。 共发放大器是反相放大器,输入出电阻是上两个之间,电压增益大,电流增益也大。 所以共发,共基放大器,知道共基在后,就知道输出电阻大,将输入电流不衰减的送到输出电阻大的那端。共集共发,明显是输入电阻大,将输入电阻不衰减的
  • 高手总结的一些硬件设计经验(I)
    2019-06-10
    1:什么是二极管的正偏?在p节加正电压,而n节加负电压。即为正偏。正偏是扩散电流大大增加,反偏使漂移电流增加。但是漂移电流是由于少子移动形成的,所以有反向饱和电流。 2:一般低频信号,电阻线的粗细是为了流多少电流,而粗细带来的电阻大小不计,因为铜线本身电阻很小,特殊情况例外。 3:MOS管是依靠多子电子的一种载流子导电的,与晶体三极管的多子与少子一起参与导电的情况不一样。它是一种自隔离器件,不需要设置晶体三极管中的隔离岛,节省心片面积,适合超大规模电路。它的特点是 压控!即控制端几乎不需要电流,容易集成。 4:如何判断三极管的 cbe 极?以及如何判断mos管的gds A.直接查资料。 B.
  • 超级电容器最核心材料规模化生产
    2019-06-10
    据中国储能网报道,以杨裕生院士为主任委员的鉴定委员会,一致认为该成果填补了国内高品质有机体系超级电容活性炭的空白,达到国际先进水平。 据广西北海工业园区介绍,该项目由广西北海和荣活性炭公司、北海星石碳材料有限公司,历经10余年时间完成研发。目前,项目已经生产的110吨产品,经测试和用户体验,其电容综合性能超过国外产品,批次供应的稳定性更得到客户的充分肯定。 据中国能源网报道,广西北海星石碳材料科技有限公司开发了三步法(预活化-活化-孔径调变)制备比表面积达1900平方米/克的活性炭技术;形成了独特的分步去杂工艺,使氧含量与铁杂质含量等均小于20PPm;基于表面层特性影响电导的认识,开发了新型的
  • 分析金属化薄膜电容器的主要失效
    2019-06-09
    金属化薄膜电容是我们生活中常见常用的电容器之一,金属化薄膜电容器拥有自愈性的的优越性能而被大家熟知,本文谈谈两个关键的点,造成薄膜电容的失效原因有哪些? 1.局部放电造成由于加工过程中介质中存在微小气隙,金属化电容器“过度自愈”造成气隙,导致金属化薄膜电容器在高电压作用下产生局部放电,电容器内部会迅速大量的热,来不及散发,又造成周围介质的进一步破坏,局部放电加剧,形成恶性循环。 2.损耗引起的电容器温升一个理想的电容器在工作时没有量耗散,但由于介质损耗和电容器内部金属电阻和接触电阻的存在,使电容器呈现明显的组态特性。在有负载时导致金属化薄膜电容器发热,并经电容器外表将热量散到周围环境中去,从中

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