导致CBB电容失效，容量降低，耐压降低有以下几点：1）电容密封性不够，水汽进入导致氧化，耐压降低。2）长期瞬间电流过大，电压过高，内部放电自愈导致容量下降。3）长期高负荷工作，金属镀层的蒸发导致容量降低。解决的方法如下：1）采购知名品牌电容，质量有保障!2）尽可能的使用高规格，比如安规电容X2一般标称275VAC，但实际上瞬间试上1KV都可以承受的了，质量非常好，拆机电容中，安规电容无论是高压测试还是物理分解都非常漂亮。3）并联合理的压敏电阻，防止冲击电压过压，据说此法比较有效，有条件降低瞬间电流，一般在允许的范围内，串联电阻。在购买CBB电容的时候可以选择有品牌的电容，品牌是可以保障消费者的

此外，即使是相同的纹波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言，0.2V纹波电压所占比例较小，不足以形成很大的影响，但是对于1.8V的CPU，同样是0.2V的纹波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。例如《电子报》2007年第26期17版的《由NCP1200构成的12V、1A开关电源》的文章中，对开关变压器次级二极管整流后的LCπ型滤波器中电容C6、C7的要求就是“要选用等效串联电阻小的优质电解电容，等效电阻不仅会影响转换率还会影响输出纹波电压。” ESR是等效“串联”电阻，将两个电容串联，会使ESR值增大，而并联则会使之减小。因此

现在电子技术正朝着低电压高电流电路的设计方向发展，供应给元器件的电压呈现越来越低的趋势，但对功率的要求却丝毫没有降低。按P=UI的公式来计算，要获得同样的功率，电压降低了，那就必须得增大电流。例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，和以前3、 4V的电压相比低得多。但另一方面这些芯片由于晶体管和频率的激增，需求的功耗却是增大了许多，对电流的要求就越来越高了。例如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流I=P/U=70W/3.3V=21.2A；而后者的电流I=P/U=70W/1.8V=38.9A，将近是前者电流的两倍。在通过电容的

电容器的主要技术指标有电容量、耐压值、耐温值。除了这三个主要指标外，其他指标中较重要的就是等效串联电阻（ESR）了。有的电容器上有一条金色的带状线，上面印有一个大大的空心字母“I”，它表示该电容属于LOW ESR低损耗电容。有的电容还会标出ESR值（等效串联电阻），ESR越低，损耗越小，输出电流就越大，电容器的品质越高。 ESR是Equivalent Series Resistance的缩写，即“等效串联电阻”。理想的电容自身不会有任何能量损失，但实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”

13、铝电解电容电容量：0.47--10000u额定电压：6.3--450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等14、钽电解电容（CA）铌电解电容（CN） 电容量：0.1--1000u额定电压：6.3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容