电容器击穿的概念电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。电容器击穿的原因电容击穿的根本原因就是其电介质的绝缘性被破坏，产生了极化。造成电介质绝缘性被破坏的原因有：①工作电压超过了电容的耐压；②电容质量不好，漏电流大，温度逐渐升高，绝缘强度下降；③电容接反或者接到了交流电源之上。避免介质击穿的方法① 采用绝缘强度高的材料；② 绝缘材料有一定厚度，且不含杂质，如气泡或水分；③ 设法使电场按要求分布，避免电力线在某些地方过于密集。击穿后能够恢复①电介质是气体或者是液体，均是自恢复绝缘介质，击穿可逆；②电介质

导致CBB电容失效，容量降低，耐压降低有以下几点：1）电容密封性不够，水汽进入导致氧化，耐压降低。2）长期瞬间电流过大，电压过高，内部放电自愈导致容量下降。3）长期高负荷工作，金属镀层的蒸发导致容量降低。解决的方法如下：1）采购知名品牌电容，质量有保障!2）尽可能的使用高规格，比如安规电容X2一般标称275VAC，但实际上瞬间试上1KV都可以承受的了，质量非常好，拆机电容中，安规电容无论是高压测试还是物理分解都非常漂亮。3）并联合理的压敏电阻，防止冲击电压过压，据说此法比较有效，有条件降低瞬间电流，一般在允许的范围内，串联电阻。在购买CBB电容的时候可以选择有品牌的电容，品牌是可以保障消费者的

此外，即使是相同的纹波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言，0.2V纹波电压所占比例较小，不足以形成很大的影响，但是对于1.8V的CPU，同样是0.2V的纹波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。例如《电子报》2007年第26期17版的《由NCP1200构成的12V、1A开关电源》的文章中，对开关变压器次级二极管整流后的LCπ型滤波器中电容C6、C7的要求就是“要选用等效串联电阻小的优质电解电容，等效电阻不仅会影响转换率还会影响输出纹波电压。” ESR是等效“串联”电阻，将两个电容串联，会使ESR值增大，而并联则会使之减小。因此

现在电子技术正朝着低电压高电流电路的设计方向发展，供应给元器件的电压呈现越来越低的趋势，但对功率的要求却丝毫没有降低。按P=UI的公式来计算，要获得同样的功率，电压降低了，那就必须得增大电流。例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，和以前3、 4V的电压相比低得多。但另一方面这些芯片由于晶体管和频率的激增，需求的功耗却是增大了许多，对电流的要求就越来越高了。例如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流I=P/U=70W/3.3V=21.2A；而后者的电流I=P/U=70W/1.8V=38.9A，将近是前者电流的两倍。在通过电容的

电容器的主要技术指标有电容量、耐压值、耐温值。除了这三个主要指标外，其他指标中较重要的就是等效串联电阻（ESR）了。有的电容器上有一条金色的带状线，上面印有一个大大的空心字母“I”，它表示该电容属于LOW ESR低损耗电容。有的电容还会标出ESR值（等效串联电阻），ESR越低，损耗越小，输出电流就越大，电容器的品质越高。 ESR是Equivalent Series Resistance的缩写，即“等效串联电阻”。理想的电容自身不会有任何能量损失，但实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”