交流电动机电容器存在诸多的优势，其容量损耗随温度频率具高稳定性。并且是特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性。而且是高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。对于这样具有诸多优势的电容来说，如果使用不当是会导致各种隐患的。高压瓷片电容被用在射频电路中和长期在强电流环境工作的电容会过热，特别是电容中心的卷筒。即使外部环境温度较低，但这些热量不能及时散发出去，集聚在内部可能会迅速导致内部高热从而导致电容损坏。在高能环境下工作的电容组，如果其中一个出现故障，使电流突然切断，其他电容中储存的能量会涌向出故障的电容，这就即有可能出现猛烈的爆炸。不仅如此，高电压电容在超出其标称电压下工作时有可能发生

一、范围内电流选用不当范围内电流选用不当，产生较多的位置是直流维持和简谐振动部份。本质需要的电流值假如比薄膜电容器允许经过的电流值大，则会形成薄膜电容发热影响，长远高温作业，引起薄膜电容使用年限大大下降，严重的可能炸裂乃至是着火燃烧。在配置试验中，允许通过专属的电流探头或另外方法，测量一下实质需求的峰值电流，继而调动电容器的参数。可通过配置在功率退化测验中，勘测一下薄膜电容的温升，依据薄膜电容的温升允许参数来鉴定薄膜电容器的采选是否适合。二、导线连接方式不当导线连接方式不当，关键产生在薄膜电容多只并联电路运用中。因为接线方法，走线间隔不同等原因，引起每个并联的薄膜电容在电子回路中分流不相同。表

因为电力上的许多把电能转换成别的方式的能的设备叫做负载是电理性的，如很多运用的电动机。因为经过理性负载电器的沟通电流要滞后于两头所加沟通电压一个视点，使得把别的方式的能转换成电能的设备叫做电源供给的电能视在功率视在功率S)只要一部分转化为有用的能量(有功功率P)，两者的比值称为功率因数Cos。Cos=P/S将高压电容器并于理性负载，因为经过电容器的沟通电流超前电压一个视点，使得总电流与电压的夹角减小，功率因数得以进步，然后能够进步电能的利用率，削减线损。

在电子线路中，高压电容器用来阻隔直流，也用来存储和释放电荷以充当滤波器，平滑输出脉动信号。小容量的电容，通常在高频电路中运用，如收音机、发射机和振荡器中。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。而且还有一个特色，通常1μF以上的电容均为电解电容，而1μF以下的电容多为瓷片电容。当然也有别的，比如独石电容、涤纶电容、小容量的云母电容等。电解电容有个铝壳，里边充满了电解质，并引出两个电极，作为正(+)、负(-)极，与其它电容器不一样，它们在电路中的极性不能接错，而别的电容则没有极性。

浪涌电压保护　　开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOS B32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。　　半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。　　在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可